任务名称：基于忆阻器的高能效存算一体电路
任务依托单位：集成芯片与系统全国重点实验室
任务负责人：陈迟晓
招聘人数：1
岗位专任副研究员招聘
岗位职责
负责混合精度存算一体芯片开发，具体包括：
1.根据任务需求，完成高能效存算电路的读出与互连电路等工作。
2.完成高速数模混合电路的版图设计与仿真验证，并流片。
3.协助实验室管理、项目申报、专利撰写等工作。
招聘条件
1.拥护党和国家的各项方针政策，遵守法律法规，品行端正;身体健康，心理素质良好;爱岗敬业，恪守学术规范和职业道德。
2.具有微电子、电子信息工程等相关专业博士学位。
3.首次聘用时年龄一般在40周岁以下。
4.具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平。
5.具有模拟电路、流片开发经历、熟练掌握EDA(Synopsys/Cadence/Xilinx)工具者优先。
招聘范围
校内、外
岗位待遇
1.与学校签订劳动合同，可申请租赁学校周转性教师公寓。
2.提供有市场竞争力的薪资待遇和优越的科研环境。
3.符合相关条件的，可按照学校规定申请子女入托入学。
应聘程序
1.应聘者发送个人简历(包括学习研究经历、发表论文列表、既往研究成果、未来研究计划等)至cxchen@fudan.edu.cn。
2.择优安排面试。
3.拟聘用者报学校审批。
联系方式
联系人：陈老师
邮箱：cxchen@fudan.edu.cn
办公电话：021-31242709
截止日期
2025年8月31日
备注
订立聘用合同或者劳动合同以前有下列情形的，不予录用：
(1)受过刑事处罚、行政拘留处罚，或者因涉嫌违法正在接受有关部门调查，尚未作出结论的;
(2)受到党(团)纪、政纪处分，处分尚未解除，或者因涉嫌违纪正在接受有关单位调查，尚未作出结论的;
(3)违反高等学校教师职业行为规范的;
(4)在应聘过程中违背诚实信用或者社会公序良俗的;
(5)其他不符合聘用条件的情形。
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